Samsung quiere implementar estructura Gate-all-around para bajar tres nanómetros en 2020

La compañía tecnológica Samsung quiere implementar la estructura Gate-all-around (GAA) para bajar hasta los tres nanómetros en 2020. La firma tiene como objetivo reducir el tamaño de los transistores cilíndricos, de modo que las conexiones entre ellos mismos ganen velocidad y produzcan menos cantidad de electrones perdidos.

De hecho, la nueva estructura sustituirá las conexiones FinFET, que se utilizan actualmente en distintas versiones y acepciones para dispositivos móviles. Es más, el actual sistema permite hasta tres salidas de energía para los transistores mientras que el GAA habilitará cuatro o más salidas, en función de la estructura del procesador.

Por lo tanto, el funcionamiento de los procesadores mejorará, ya que el nuevo sistema habilitará un transporte de electrones más seguro y veloz, ofreciendo al mismo tiempo una mayor potencia de procesamiento y un mayor ahorro energético.

A veces las firmas tecnológicas ofrecen novedades y otras veces son malas noticias, como el hecho de que Samsung ha paralizado la actualización del Android 8.0 Oreo para la gama de smartphones Galaxy S7 debido a que el software hace que algunos dispositivos se reinicien e ingresen en bucles de arranque.

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